Алфёров Жорес Иванович
родился в 1930 году
Физик, академик АН СССР, академик РАН. Является специалистом в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, технической физики. Алферов принимал участие в создании первых отечественных транзисторов, фотодиодов, мощных германиевых выпрямителей. Открыл явление сверхинжекции в гетероструктурах и показал, что в полупроводниковых гетероструктурах можно принципиально по-новому управлять электронными и световыми потоками. Создал «идеальные» полупроводниковые гетероструктуры.
В 2000 году Жорес Алферов был удостоен Нобелевской премии по физике за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов.
В 1952 году Жорес Алферов окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института имени В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ), куда был принят без экзаменов. С 1953 года работал в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе, где и разрабатывал первые советские транзисторы и силовые германиевые приборы, а также занимался исследованиями в физике полупроводников, которые стали основанием для присуждения Алферову Нобелевской премии. С 1973 года заведовал базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ, с 1988 года работал деканом физико-технического факультета Ленинградского Политехнического института, а с 1987 по 2003 год являлся директором и до 2006 года председателем ученого совета Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе. Одновременно Жорес Алферов работал в различных ленинградских-петербургских структурах Академии наук. Живет в Санкт-Петербурге.